flowANPC E3BP
30-E312NAA003MS13-PS48F75Z
拓扑结构 封装 电压 导通电阻 主芯片技术 产品状态
Three-level ANPC flow E3BP 1200 V 2.83 mOhm SiC MOSFET Engineering Sample


产品描述
基本信息
- 产品线: flowANPC E3BP
- 产品状态: Engineering Sample
- 标准包装数量: 24
电气特性
- 电压: 1200 V
- 电流: 510 A
- R(DS)on: 2.83 mOhm
- Kelvin Emitter for improved switching performance
- Temperature sensor
- Advanced Neutral Point Clamped topology
- Gate Resistor
Three-level ANPC
芯片与隔离特性
- High Blocking Voltage with low drain source on state resistance
- High speed SiC-MOSFET technology
- Resistant to Latch-up
SiC MOSFET
- 基础隔离: Al2O3
隔离
机械与封装特性
- PCB机械连接方式: 4 towers
- 封装尺寸: 109.6 mm x 59.7 mm
- 高度: 12 mm
- 引脚类型: Solder pin
flow E3BP